sexta-feira, 8 de março de 2019

Samsung cria memorias mil vezes mais rápidas que as nand flash


Essas memórias podem ser facilmente integradas a sistemas de Inteligência Artificial, dispositivos dotados de Internet das Coisas, microcontroladores e, claro, computadores de alta performance
Memória de acesso aleatório magnetoresistiva ou, simplesmente eMRAM. Este é o nome da memória que a Samsung começou a fabricar em escala comercial e cuja velocidade de gravação promete ser até mil vezes mais rápida que os já tradicionais eFlash. A capacidade de armazenamento da eMRAM é menor que as de suas "colegas". Este padrão suporta apenas 1 Gbit por chip, algo bem menor se comparado à memória flash que, atualmente, é superior a 1 Tbit por chip.



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