HardGam3r: Samsung cria memorias mil vezes mais rápidas que as nand flash

Tradutor



sexta-feira, 8 de março de 2019

Samsung cria memorias mil vezes mais rápidas que as nand flash


Essas memórias podem ser facilmente integradas a sistemas de Inteligência Artificial, dispositivos dotados de Internet das Coisas, microcontroladores e, claro, computadores de alta performance
Memória de acesso aleatório magnetoresistiva ou, simplesmente eMRAM. Este é o nome da memória que a Samsung começou a fabricar em escala comercial e cuja velocidade de gravação promete ser até mil vezes mais rápida que os já tradicionais eFlash. A capacidade de armazenamento da eMRAM é menor que as de suas "colegas". Este padrão suporta apenas 1 Gbit por chip, algo bem menor se comparado à memória flash que, atualmente, é superior a 1 Tbit por chip.



Nenhum comentário:

Postar um comentário

Você é um gamer, um hardcore gamer, um fake gamer, ou um user , seja o que for se identifique e comente aqui. Obs, os comentários com spam podem ser removidos. Sem links, muitos símbolos, imagens, palavras inapropriadas, pois pode danificar o mecanismo de busca deste site.